长鑫存储第五代 DRAM 技术平台（G5）宣布量产

长鑫存储在 2026 世界制造业大会开幕式宣布，第五代 DRAM 技术平台（G5 平台）实现量产：依托自主创新四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖内存量产平台制程、不依赖 EUV 光刻；存储电容深宽比达 45:1，核心功能区高度缩小至 6762 纳米，每片晶圆裸片产出较第四代平台提升至少 50%。大会同步展出基于 G5 平台打造的两款 24Gb 大容量 LPDDR5X 量产产品；行业分析认为该平台标志着国产高端 DRAM 跻身全球顶尖量产工艺第一梯队，为全球存储供应链注入新稳定性。